HVT KD-V43 Вакуумная печь для оплавления припоя

Производитель:Chenglian Kaida (Hebei) Technology Co., Ltd

Требуется беспустотная пайка под жесткие стандарты качества? Нажмите "Отправить запрос", и наши инженеры подготовят технико-коммерческое предложение под Ваши задачи сегодня

Отправить запрос Купить в лизинг

Описание

Вакуумная печь для оплавления припоя HVT KD-V43 — это прецизионная система нового поколения, разработанная для бесфлюсовой и беспустотной пайки критически важных компонентов полупроводниковой электроники.

Система оснащена многоракурсными видеокамерами высокого разрешения для сквозного онлайн-мониторинга процесса оплавления непосредственно через смотровое окно. Программное обеспечение на базе ПЛК Siemens синхронно отображает температурные кривые и текущий уровень вакуума, сохраняя параметры каждого цикла в единую базу данных процесса для обеспечения полной прослеживаемости (Traceability).

Основные преимущества:

  • Минимальный уровень пустот (Void Rate < 2%): Гарантирует безупречную теплопередачу и максимальную прочность соединения при беспустотной пайке полупроводников.
  • Экстремальная скорость термоциклирования: Мощная система верхнего нагрева обеспечивает скорость нагрева до 180°C/мин (пиковая до 300°C/мин), а интегрированный контур водяного охлаждения гарантирует контролируемое охлаждение со скоростью ≥120°C/мин.
  • Полная интеграция с MES-системами: Уникальное программное обеспечение на базе ПЛК Siemens и промышленного ПК легко синхронизируется с заводскими системами управления производством (MES) и Интернетом вещей (IoT) для сквозного контроля логики процессов.
  • Многоуровневая система безопасности промышленного класса: Автоматический контроль давления газов, защита от утечек водорода и взрывозащищенный кожух бака муравьиной кислоты (HCOOH) гарантируют полную безопасность оператора.

Области применения:

  • Сборка и корпусирование IGBT-модулей силовой электроники;
  • Пайка мощных светодиодных матриц (LED);
  • Процессы оплавления паяльных паст и преформ высокого уровня чистоты;
  • Корпусирование лазерных диодов и оптоэлектронных компонентов;
  • Сборка многокристальных модулей и ИС смешанных сигналов;
  • Герметизация корпусов интегральных схем (пайка крышек);
  • Корпусирование MEMS-компонентов со спецификацией вакуумной среды.

Технические характеристики

Максимальный (предельный) вакуум

1 Па

Эффективный размер зоны пайки

300 x 400 мм

Максимальная высота изделия

80 мм

Диапазон рабочих температур

от комнатной температуры до 450℃

Максимальная скорость нагрева

до 180°C/мин (верхний нагрев: 300°C/мин)

Скорость охлаждения

≥120°C/мин; камера с интегрированной циркуляцией охлаждающей воды

Температурная неравномерность

±2°C

Максимальная нагрузка на платформу

20 кг

Материал нагревательной плиты

высокочистая красная медь со специальной обработкой (опционально доступны альтернативные материалы)

Габаритные размеры (ДхШхВ)

1400 x 990 x 1300 мм

Масса оборудования

около 260 кг

Параметры электропитания

380 В, 3 Фазы, 50 Гц, трехфазная пятипроводная система. Рекомендуемое сечение медного кабеля питания: не менее 10 мм²

Максимальная потребляемая мощность

21,5 кВт, рабочая мощность: 8-10 кВт

Максимальный рабочий ток

3x40 А

Дополнительное оснащение

Метод управления

ПЛК Siemens + промышленный ПК

Окно мониторинга

смотровое окно для визуального мониторинга

Температурная кривая

температура + время (можно установить температуру и время, можно настроить до 150 этапов процесса)

Интерфейс

COM

Системы безопасности

Сигнализация перегрева камеры

Система обнаружения давления охлаждающей воды: сигнализация низкого давления

Система обнаружения давления газа: сигнализация высокого/низкого давления

Изоляция электрических компонентов от компонентов водяного охлаждения и газовых компонентов

Однокнопочное отключение питания для нагревательной секции

Основные функции высоковакуумной эвтектической печи:

  • Минимальное количество пустот

    Снижение уровня пустот (Void Rate) до показателей менее 2% критически увеличивает прочность соединения и улучшает теплоотвод полупроводникового кристалла (по сравнению со стандартной конвекционной пайкой, где уровень пустот может достигать 30%).

  • Превосходный контроль температуры

    Архитектура PLC и MFC обеспечивает стабильный и точный контроль температуры, а также надежную защиту.

    Система водяного охлаждения: Трубки поперечного охлаждения и резервуар с водяным охлаждением обеспечивают быстрое охлаждение в условиях высоких температур.

  • Очень короткое время пайки

    Время цикла пайки короткое, около 10 минут (температура пайки 380-450 °C, температура охлаждения до 45 °C, заполнение азотом, остаточное давление вакуумирования при пайке до 1 Па).

  • Разнообразие технологических газов

    Базовое исполнение: в вакуумную камеру закачивается 100% азот.

    Дополнительное оснащение: HCOOH, ArH2 в качестве технологического газа для плазмы, N2 и H2 в качестве форминг-газа.

  • Удобный человеко-машинный интерфейс

    Windows предоставляет возможность запроса состояния системы, отладки/настройки, оповещений и пользовательского интерфейса.

  • Усовершенствованный ПЛК и система безопасности

    Система ПЛК предотвращает случайные утечки, такие как утечка водорода.

    Оповещения о чрезмерно высоких температурах

    Система предупреждения о низком давлении охлаждающей воды

    Защитные крышки для резервуаров с муравьиной кислотой для предотвращения случайных взрывов

    Система обнаружения утечек водорода и муравьиной кислоты

    Автоматическая система сброса давления в случае избыточного давления

    Гидравлический поддон предотвращает повреждение контуров водой

    Автоматическое сжигание водорода предотвращает загрязнение водородом.

Прямая технологическая замена западных аналогов
Полупромышленная вакуумная система HVT KD-V43 является прямой альтернативой средне- и крупносерийным камерным печам от ушедших с рынка РФ брендов:

  • Германия: Pink GmbH (серия VADU 200 / 300), Rehm Thermal Systems (серия Nexus), Budatec (серия VS XL).
  • США: Palomar SST (вакуумные системы серии 5100).

Оборудование HVT обеспечивает полную идентичность термопрофилей, параметров остаточного вакуума (1 Па) и технологических сред (N₂, HCOOH).