Установка для выращивания монокристаллов из расплава CRYSTEN является технологическим оборудованием, позволяющим выращивать монокристаллы различных тугоплавких веществ методом Чохральского (для веществ, плавящихся без разложения, например, Na₂Si₂O₅, K₂Si₂O₅, PbMoO₄, PbWO₄, PbMo₂O₇, LiNbO₃, BaTiO₃, BiGe₃O₁₂), и методом выращивания из раствора в расплаве (flux-метод, для веществ, плавящихся с разложением, например, NaAl (WO₄)₃, LiB₃O₅, LiCsB₆O₁₀, CsB₃O₅, BaB₂O₄, KTiOPO₄ и семейства титанил-фосфатов и арсенатов, KGd(WO₄)₂, KY(WO₄)₂, семейства KGW и KYW, NaY(WO₄)₂, NaPO₃, Al₂(WO₄)₃, YVO₄).

Выращивание монокристаллов обеспечивается для веществ с температурой плавления вплоть до 1700 градусов Цельсия. Установка обеспечивает различные сочетания основных технологических параметров (температуры роста, атмосферы роста, скорости подачи и вращения кристалла, условий охлаждения).

Основными компонентами и функциональными подсистемами установки являются: нагревательная система (обеспечивает разогрев и плавление исходного вещества (шихты), а также поддержание заданного температурного режима в течение всего процесса), рабочая камера (область установки, в которой находится тигель, содержащий расплав вещества; представляет собой специальную камеру внутри нагревательной системы), система подачи и вращения кристалла (обеспечивает вращение растущего кристалла вокруг вертикальной оси (для более однородных температурных условий и циркуляции расплава вокруг растущего кристалла) и его линейное перемещение вдоль этой оси (для вытягивания растущего кристалла)), система вакуумной откачки и подачи ростовой атмосферы (для откачки рабочей камеры от воздуха и её наполнения специальными газами), система управления и мониторинга (управление механическими узлами установки и её температурными параметрами, осуществляемое с помощью специального компьютера и температурного контроллера)